一、好组件，，，，不怕遮挡。。。Hi-MO X10接纳行业最先进的HPBC 2.0电池手艺，，，，效率凌驾26.6%，，，，同时，，，，HPBC2.0手艺接纳新型半片工艺，，，，镌汰切片损失和边沿泄电;HPBC 2.0还接纳双极复合钝化手艺和类旁路二极管结构，，，，让组件更耐紫外线，，，，更低衰减和无惧阴影遮挡。。。 二、用泰睿，，，，抗隐裂更好。。。Hi-MO X10接纳w66利来自研的泰睿硅片，，，，是硅片领域近十年最大立异。。。该硅片纯度更高，，，，杂质更低，，，，首年衰减仅为1%，，，，线性衰减0.35%，，，，温度系数为-0.26%/℃。。。同时，，，，泰睿硅片电阻匀称漫衍，，，，镌汰电流消耗，，，，强度比通俗硅片提升16%，，，，抗断裂能力更强，，，，抗隐裂性能大幅提升。。。 三、0BB手艺，，，，吸光多发电更多。。。Hi-MO X10不但正面因无栅线实现更多吸光效果，，，，并且背面栅线还接纳0BB手艺，，，，让正面和背面都能够实现最大限度的吸光效果，，，，实现更多发电。。。同时，，，，Hi-MO X10的0BB手艺使得电流导通路径更短，，，，电池应力漫衍越发匀称，，，，最终实现电流的衰减更低和电池片的抗隐裂性能更强。。。